使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂，這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點(diǎn)，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時(shí)，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題，通過環(huán)氧樹脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔，實(shí)現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接，以達(dá)到較高的防護(hù)強(qiáng)度和氣閉密封，并為主電極引出提供支撐。3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)。整流橋，就是將橋式整流的四個(gè)二極管封裝在一起，只引出四個(gè)引腳。天津優(yōu)勢Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷售價(jià)格

如上所述，本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，具有以下有益效果：本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路通過一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說明圖1顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖2顯示為本實(shí)用新型的電源模組的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖3顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖4顯示為本實(shí)用新型的電源模組的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖5顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖6顯示為本實(shí)用新型的電源模組的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖7顯示為本實(shí)用新型的電源模組的再一種實(shí)現(xiàn)方式。元件標(biāo)號說明1合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)11塑封體12控制芯片121功率開關(guān)管122邏輯電路13高壓供電基島14信號地基島15漏極基島16火線基島17零線基島18采樣基島具體實(shí)施方式以下通過特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。安徽貿(mào)易Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷售廠家有多種方法可以用整流二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，包括半波整流、全波整流以及橋式整流等。

所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈，負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示，所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極，負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示，所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用，適用于兩繞組flyback(3w～25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一～三的不同之處在于，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd，所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號地管腳gnd，而連接所述電源地管腳bgnd，相應(yīng)地，所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改，在此不一一贅述。如圖7所示，本實(shí)施例還提供一種電源模組，所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于，所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1，還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。具體地。

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個(gè)原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負(fù)載短路，絕緣不好，負(fù)荷電流過大引起；3、頻繁的啟停電源，若是感性負(fù)載屬于儲(chǔ)能元件！那么會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時(shí)只要一個(gè)壞了。則對稱橋臂必?zé)龎模?、個(gè)別元件使用時(shí)間較長，質(zhì)量下降！5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法（1）找到引起整流橋模塊損壞的根本原因，并消除，防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。（2）更換新整流橋模塊，對焊接的整流橋模塊需確保焊接可靠。確保與周邊元件的電氣安全間距，用螺釘聯(lián)接的要擰緊，防止接觸電阻大而發(fā)熱。與散熱器有傳導(dǎo)導(dǎo)熱的，要求涂好硅脂降低熱阻。（3）對并聯(lián)整流橋模塊要用同一型號、同一廠家的產(chǎn)品以避免電流不均勻而損壞。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線）相連。

本實(shí)用新型屬于電磁閥技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)。背景技術(shù)：大多數(shù)家用電器上使用的需要實(shí)現(xiàn)全波整流功能的進(jìn)水電磁閥，普遍將整流橋堆設(shè)置在電腦板等外部設(shè)備上，占用了電腦板上有限的空間，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整流橋堆失效，整塊電腦板都將報(bào)廢。雖然目前市場上出現(xiàn)了內(nèi)嵌整流橋堆的進(jìn)水電磁閥，但有些由于繞組塑封的結(jié)構(gòu)不合理，金屬件之間的爬電距離設(shè)置過小，導(dǎo)致產(chǎn)品的電氣性能較差，安全性較差，在一些嚴(yán)酷條件下使用很容易損壞塑封，引起產(chǎn)品失效，嚴(yán)重的會(huì)燒毀家用電器；有些由于工藝過于復(fù)雜，橋堆跟線圈在同一側(cè)，導(dǎo)致橋堆在線圈發(fā)熱時(shí)損傷。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電氣性能和可靠性高的電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)，包括線圈架、設(shè)于所述線圈架上的繞組、設(shè)于所述線圈架上的插片組件及套設(shè)于所述線圈架外的塑封殼，所述插片組件設(shè)于線圈架上部的一插片和與所述線圈架上部插接配合的多個(gè)第二插片；所述一插片與所述第二插片通過整流橋堆電連。推薦的，所述一插片為兩個(gè)。推薦的。整流橋由控制器的控制角控制,當(dāng)控制角為0°～90°時(shí)，整流橋處于整流狀態(tài),輸出電壓的平均值為正。天津優(yōu)勢Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷售價(jià)格

整流橋是將數(shù)個(gè)整流二極管封在一起組成的橋式整流器件，主要作用是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電，也就是整流。天津優(yōu)勢Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷售價(jià)格

所述負(fù)載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示，所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用，適用于高壓線性(3w～12w)。實(shí)施例二如圖3所示，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一的不同之處在于，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括高壓續(xù)流二極管df，且功率開關(guān)管121及邏輯電路122分立設(shè)置。如圖3所示，在本實(shí)施例中，所述高壓續(xù)流二極管df采用n型二極管，所述高壓續(xù)流二極管df的負(fù)極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上，正極通過金屬引線連接漏極基島15，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述漏極管腳drain的連接。需要說明的是，所述高壓續(xù)流二極管df也可采用p型二極管，粘接于漏極基島15上，在此不一一贅述。如圖3所示，所述功率開關(guān)管121的漏極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述漏極基島15上，源極s通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。所述邏輯電路122為芯片結(jié)構(gòu)，其底面為絕緣材料，設(shè)置于所述信號地基島14上，控制信號輸出端out通過金屬引線連接所述功率開關(guān)管121的柵極g，采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。天津優(yōu)勢Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷售價(jià)格