有三個不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合，陽極接合或柵極的正向電壓，但沒有施加電壓時，它不導通，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時，它將被關(guān)上。一旦開啟，控制電壓有它的作用失去了控制，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓，將保持在接通狀態(tài)。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值，或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下，面向側(cè)面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，其傳導電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。安徽貿(mào)易WESTCODE西瑪晶閘管/二極管供應(yīng)

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導體器件，為***代半導體電力電子器件的**。晶閘管的特點是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點，***用于無觸點開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導體的出現(xiàn)成為20世紀現(xiàn)代物理學其中一項**重大的突破，標志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為**的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年。安徽貿(mào)易WESTCODE西瑪晶閘管/二極管供應(yīng)塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

或電流）的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導通，它就被鉗住在導通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個二極管一樣導通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止狀態(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL，當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高，BG1的基極電位進一步下降，經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài)，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止狀態(tài)，我們稱這個電流為維持電流。

所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以晶閘管具有開關(guān)特性，這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷。4全控型晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓。其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定）。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。（4）模塊不能當作隔離開關(guān)使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器中心，把熱電偶探頭插到孔底。要求該測試點的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a）工作頻率f為50Hz；b）模塊輸入交流電壓VIN（RMS）范圍：額定電壓為220VAC時為170～250VAC、額定電壓為380VAC時為300～450VAC（輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時，應(yīng)專門定做）；c）三相交流輸出電壓不對稱度<6%；d）控制電源電壓12VDC；e）控制信號：VCON為0～10VDC；f）控制信號電流ICON≤1mA；g）輸出電壓溫度系數(shù)<。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。安徽貿(mào)易WESTCODE西瑪晶閘管/二極管供應(yīng)

逆導晶閘管的關(guān)斷時間幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。安徽貿(mào)易WESTCODE西瑪晶閘管/二極管供應(yīng)

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當大到某一部分電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴格的控制。安徽貿(mào)易WESTCODE西瑪晶閘管/二極管供應(yīng)