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圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱,溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū),第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度,因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過(guò)增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差。如曲線OD段稱為反向截止區(qū),此時(shí)電流稱為反向飽和電流。私人模塊施工
光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路,驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊,vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí),通過(guò)光耦隔離電路傳遞故障信號(hào)給原邊電路,原邊電路同時(shí)***igbt模塊上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào),并通過(guò)光耦隔離電路和驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷igbt模塊。實(shí)施例2:在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,本實(shí)用新型的一種實(shí)施例電路如圖2所示,其中,15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器,其作用主要是:對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波,并且降低開(kāi)關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路,并且q1和q2由晶體管構(gòu)成,t1為高頻隔離變壓器,其副邊有兩個(gè)**的繞組,輸出兩路隔離電源:其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路,輸出-15v_sh電源;d8與c5構(gòu)成二極管整流電路,輸出+15v_sh電源;其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路,輸出-15v_sl電源;d11與c7構(gòu)成二極管整流電路,輸出+15v_sl電源;上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成,下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成,保護(hù)電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號(hào)為上管輸入信號(hào),pwm_l信號(hào)為下管輸入信號(hào);當(dāng)pwm_l信號(hào)為高電平時(shí),c2通過(guò)d2快速放電。河北模塊銷售公司主要包括輸入電路、光電耦合器、過(guò)零觸發(fā)電路、開(kāi)關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。
人就會(huì)發(fā)生危險(xiǎn)...發(fā)表于2018-03-2909:24?151次閱讀怎么用labview讀取IT8813電壓和電流發(fā)表于2018-03-2717:06?178次閱讀高低電平隨機(jī)數(shù)控制電壓選擇模塊發(fā)表于2018-03-2713:22?162次閱讀matlab模擬的時(shí)候怎樣才能讓電壓緩慢關(guān)斷?發(fā)表于2018-03-2712:18?195次閱讀回收WT333功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:57?46次閱讀回收WT332功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:43?27次閱讀二手WT2030功率分析儀發(fā)表于2018-03-2710:27?47次閱讀本人電源方面的新手,有一道題困惑了好幾天,求解答。。發(fā)表于2018-03-2709:50?342次閱讀回收NRP2功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2709:32?36次閱讀數(shù)碼管顯示電壓電路圖大全(六款數(shù)碼管顯示電壓電路...本文主要介紹了數(shù)碼管顯示電壓電路圖大全(六款數(shù)碼管顯示電壓電路原理圖詳解)。測(cè)得的電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字相當(dāng)...發(fā)表于2018-03-2613:53?302次閱讀回收安捷倫U8487A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:31?88次閱讀回收安捷倫U8488A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:30?106次閱讀何為有效值?何為均方根?從定義出發(fā)計(jì)算有效值,即,交流電與直流電分別通過(guò)同一電阻,若兩者在相同的時(shí)間內(nèi)所消耗的電能相等。
2013年2月,賽米控公司正式推出全國(guó)**式電磁油煙凈化一體機(jī)。2012年5月,賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會(huì)。2012年4月,賽米控公司正式加入順德民營(yíng)企業(yè)投資商會(huì)理事會(huì)。2012年3月,賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設(shè)備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月,賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月,賽米控公司在全國(guó)同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗(yàn)廳開(kāi)業(yè)。2011年2月,賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專業(yè)的外貿(mào)團(tuán)隊(duì),同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月,賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技有限公司董事會(huì)會(huì)議勝利召開(kāi)。決議通過(guò)2011年商用電磁爐新的工作思路和發(fā)展方向。2010年9月,賽米控牌商用電磁爐榮獲中國(guó)***品牌,并被列入國(guó)內(nèi)商用電磁爐**品牌之一。2010年6月,賽米控成功研發(fā)出拋炒爐無(wú)盲點(diǎn)技術(shù)。并成功申請(qǐng)國(guó)家**。2010年3月,世界首臺(tái)自動(dòng)煮食機(jī)器人誕生,同月又成功開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)自動(dòng)煮粥機(jī)。標(biāo)志著賽米控將為中國(guó)智能化、標(biāo)準(zhǔn)化、**化餐飲業(yè)的發(fā)展翻開(kāi)嶄新的一頁(yè)。2009年11月,賽米控公司在上海崇明島注冊(cè)成立上海灶福智能科技有限公司。太陽(yáng)能發(fā)電廠和儲(chǔ)能系統(tǒng)等;同時(shí)適用于工業(yè)和汽車級(jí)應(yīng)用。
我國(guó)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式,即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案,由國(guó)內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒(méi)有**的功率器件生產(chǎn)線,只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比,大功率器件有許多特有的技術(shù)難題,如芯片的減薄工藝,背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù),更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備,這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中急需解決的問(wèn)題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型,在改善IGBT的開(kāi)關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化,背面的減薄國(guó)內(nèi)的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝,特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件,芯片厚度也是特定的,需要減薄到200-100um,甚至到80um,現(xiàn)在國(guó)內(nèi)可以將晶圓減薄到175um,再低就沒(méi)有能力了。比如在100~200um的量級(jí),當(dāng)硅片磨薄到如此地步后,后續(xù)的加工處理就比較困難了。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽(yáng)極,N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。浙江模塊廠家直銷
二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系。私人模塊施工
是否受熱損壞。(如果損壞已變形或燒熔)6.檢測(cè)芯片8316是否擊穿:測(cè)量方法:用萬(wàn)用表測(cè)量8316引腳,要求1和2;1和4;7和2;7和4之間不能短路。7.IGBT處熱敏開(kāi)關(guān)絕緣保護(hù)是否損壞。按鍵動(dòng)作不良的檢測(cè)測(cè)量CPU口線是否擊穿:二、按鍵動(dòng)作不良用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量CPU極與接地端,均有,萬(wàn)用表紅筆接“地”;黑筆接“CPU每一極口線”。否則,說(shuō)明CPU口線擊穿。三、功率不能達(dá)到到要求1.線圈盤(pán)短路:測(cè)試線圈盤(pán)的電感量:PSD系數(shù)為L(zhǎng)=157±5μH,PD系列為L(zhǎng)=140±5μH。2.鍋具與線圈盤(pán)距離是否正常。3.鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元?dú)饧欠袼蓜?dòng),是否齊全。裝配后不良狀況的檢查:1.不加熱:檢查互感器是否斷腳。2.插電后長(zhǎng)鳴:檢查溫度開(kāi)關(guān)端子是否接插良好。樓3.無(wú)法開(kāi)機(jī):檢查熱敏電阻端子是否接插良好。4.無(wú)小物檢知(不報(bào)警):檢查電阻R301~R307是否正常。R301~R302為68KΩR303~R306為130KΩR307為Ω5.風(fēng)扇不轉(zhuǎn);檢查三極管Q2是否燒壞。(一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃;也可用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量)[本帖***由嚴(yán)朝基于2009-1-1209:51編輯]贊賞共11人贊賞本站是提供個(gè)人知識(shí)管理的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)空間,所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布,不**本站觀點(diǎn)。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容。私人模塊施工
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