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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-14

    圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng),溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū),第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度,因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過(guò)增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差。正向電流開(kāi)始增加,進(jìn)入正向?qū)▍^(qū),但此時(shí)電壓與電流不成比例如AB段。江西代理模塊

    ***,市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性,正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力?,F(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),焊層更少,采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù),從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10%以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度,可靠性和成本效益的要求,功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開(kāi)發(fā)新模塊,這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中,DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了,使得輸出電流大,并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn),新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當(dāng)前模塊的尺寸一樣。賽米控公司,作為SEMIPACK1的發(fā)明者,堅(jiān)持采用同樣的模塊尺寸,這意味著,散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對(duì)于客戶(hù)來(lái)說(shuō),這意味著無(wú)需改變?cè)O(shè)計(jì),例如到直流環(huán)節(jié)的連接或散熱器的鉆孔。在沒(méi)有影響機(jī)械設(shè)計(jì)或?qū)﹄姎庑阅苡腥魏瓮讌f(xié)的前提下,新版模塊的層數(shù)更少:新設(shè)計(jì)的DBC襯底上不再有鉬層和銅層;芯片是直接焊到DBC上的。在功率循環(huán)(10000次負(fù)載循環(huán),△Tj=100k)中。江西模塊大概價(jià)格多少外加正向電壓較小時(shí),二極管呈現(xiàn)的電阻較大。

    光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路,驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊,vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí),通過(guò)光耦隔離電路傳遞故障信號(hào)給原邊電路,原邊電路同時(shí)***igbt模塊上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào),并通過(guò)光耦隔離電路和驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷igbt模塊。實(shí)施例2:在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上,本實(shí)用新型的一種實(shí)施例電路如圖2所示,其中,15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器,其作用主要是:對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波,并且降低開(kāi)關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路,并且q1和q2由晶體管構(gòu)成,t1為高頻隔離變壓器,其副邊有兩個(gè)**的繞組,輸出兩路隔離電源:其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路,輸出-15v_sh電源;d8與c5構(gòu)成二極管整流電路,輸出+15v_sh電源;其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路,輸出-15v_sl電源;d11與c7構(gòu)成二極管整流電路,輸出+15v_sl電源;上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成,下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成,保護(hù)電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號(hào)為上管輸入信號(hào),pwm_l信號(hào)為下管輸入信號(hào);當(dāng)pwm_l信號(hào)為高電平時(shí),c2通過(guò)d2快速放電。

    更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上,***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用,新的芯片具有更大的有效表面積,可以流過(guò)更多的電流。由于這些變化,在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過(guò)芯片的輸出電流大約多了10%以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個(gè)重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性,指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無(wú)損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖,該脈沖持續(xù)10或(50或60Hz),這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少[4]。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測(cè)試程序。測(cè)試的目的是在各種不同的測(cè)試條件下確定設(shè)計(jì)的極限,以評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程的一致性,并對(duì)提出的工藝和設(shè)計(jì)的改變對(duì)可靠性的影響進(jìn)行評(píng)估。為此,定義了標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試和條件。測(cè)試本身主要集中于芯片和封裝[5]。所有產(chǎn)品都經(jīng)**批準(zhǔn)認(rèn)可,如UL(UnderwritersLaboratories保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室)。應(yīng)用領(lǐng)域SEMIPACK產(chǎn)品可被用作為整流直流電源、交流電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)的軟起動(dòng)器,或者用在電池充電器及焊接設(shè)備中。結(jié)論多虧了第六代SEMIPACK中新的層概念,模塊更加可靠。不用說(shuō),更低的熱阻,改善了的電氣性能。6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件,專(zhuān)為滿(mǎn)足中壓軟起動(dòng)器應(yīng)用的特殊要求而開(kāi)發(fā)。

    該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示),根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求,可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié);s102:沉積光刻膠3(如圖5d所示);s104:去除溝道區(qū)的光刻膠3,保留非溝道區(qū)的光刻膠3,從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻;s105:對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示),然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示);s106:在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示);s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示),然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒(méi)有新增光刻流程,從而節(jié)省了光罩制作成本。綜上,本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小、提高了器件的開(kāi)關(guān)特性,從而使得本實(shí)用新型可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯是一個(gè)PN結(jié),在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線。模塊哪家好

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電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐產(chǎn)業(yè)。二十世紀(jì)九十年代起,通訊設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子、計(jì)算機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、汽車(chē)電子、機(jī)頂盒等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,同時(shí)伴隨著國(guó)際制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移,中國(guó)大陸電子元器件行業(yè)得到了快速發(fā)展。從細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看,隨著4G、移動(dòng)支付、信息安全、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展,集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期;另外,LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在不斷擴(kuò)大,半導(dǎo)體領(lǐng)域日益成熟,面板價(jià)格止跌、需求關(guān)系略有改善等都為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)了廣闊的發(fā)展空間。近年來(lái),電子科技消費(fèi)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展以及世界范圍內(nèi)人口消費(fèi)水平不斷提高,消費(fèi)電子市場(chǎng)終端產(chǎn)品領(lǐng)域在市場(chǎng)容量和品類(lèi)廣度上不斷發(fā)展延伸。隨著居家辦公及網(wǎng)課時(shí)代的到來(lái),電子產(chǎn)品需求加大,帶動(dòng)我國(guó)電子元器件的需求持續(xù)增加。據(jù)資料顯示,2020年,我國(guó)規(guī)模以上電子制造業(yè)主營(yíng)業(yè)收入達(dá)12.1萬(wàn)億元,同比增長(zhǎng)8.3%。近幾年順應(yīng)國(guó)家信息化企業(yè)上云、新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換、互聯(lián)網(wǎng)+、經(jīng)濟(jì)政策等號(hào)召,通過(guò)大數(shù)據(jù)管理,充分考慮到企業(yè)的當(dāng)前需求及未來(lái)管理的需要不斷迭代,在各電子元器件行業(yè)內(nèi)取得不俗成績(jī)。企業(yè)在結(jié)合現(xiàn)實(shí)提供出解決方案同時(shí),也融入世界管理先進(jìn)管理理念,幫助企業(yè)建立以客戶(hù)為中心的經(jīng)營(yíng)理念、組織模式、業(yè)務(wù)規(guī)則及評(píng)估體系,進(jìn)而形成一套整體的科學(xué)管控體系。從而更進(jìn)一步提高企業(yè)管理水平及綜合競(jìng)爭(zhēng)力。江西代理模塊

江蘇芯鉆時(shí)代,2022-03-29正式啟動(dòng),成立了IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等幾大市場(chǎng)布局,應(yīng)對(duì)行業(yè)變化,順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展,在創(chuàng)新中尋求突破,進(jìn)而提升英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,把握市場(chǎng)機(jī)遇,推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等諸多領(lǐng)域,尤其IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì),完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目;同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同,致力于IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等實(shí)現(xiàn)一體化,建立了成熟的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),擁有一大批專(zhuān)業(yè)人才。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及一般項(xiàng)目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷(xiāo)售;電力電子元器件銷(xiāo)售;電子設(shè)備銷(xiāo)售;電子測(cè)量?jī)x器銷(xiāo)售;機(jī)械電氣設(shè)備銷(xiāo)售;風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷(xiāo)售;電氣設(shè)備銷(xiāo)售;光電子器件銷(xiāo)售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷(xiāo)售;半導(dǎo)體照明器件銷(xiāo)售;半導(dǎo)體器件設(shè)備銷(xiāo)售;半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售;集成電路銷(xiāo)售;五金產(chǎn)品批發(fā);五金產(chǎn)品零售;模具銷(xiāo)售;電器輔件銷(xiāo)售;電力設(shè)施器材銷(xiāo)售;電工儀器儀表銷(xiāo)售;電工器材銷(xiāo)售;儀器儀表銷(xiāo)售;辦公設(shè)備銷(xiāo)售;辦公設(shè)備耗材銷(xiāo)售;辦公用品銷(xiāo)售;日用百貨銷(xiāo)售;機(jī)械設(shè)備銷(xiāo)售;超導(dǎo)材料銷(xiāo)售;密封用填料銷(xiāo)售;密封件銷(xiāo)售;高性能密封材料銷(xiāo)售;橡膠制品銷(xiāo)售;塑料制品銷(xiāo)售;文具用品批發(fā);文具用品零售;金屬材料銷(xiāo)售;金屬制品銷(xiāo)售;金屬工具銷(xiāo)售;環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷(xiāo)售;生態(tài)環(huán)境材料銷(xiāo)售;集成電路設(shè)計(jì);集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))等多個(gè)環(huán)節(jié),在國(guó)內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢(shì)。在IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等領(lǐng)域完成了眾多可靠項(xiàng)目。

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