大中小igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇2011-07-23王利剛QWE展開全文igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇上網(wǎng)時(shí)間:2011-05-04igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇igbt驅(qū)動(dòng)電路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。下圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、傳動(dòng)等領(lǐng)域。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價(jià)

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）l輸出電流10A；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃；l保護(hù)有過壓、過流、短路保護(hù)功能。2）直流電容器分為支撐電容、儲(chǔ)能電容，分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時(shí)的大電流放電，滿足動(dòng)態(tài)測試、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動(dòng)態(tài)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。黑龍江家居模塊IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

    **摘要本實(shí)用新型涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板、二極管芯片、主電極及外殼，二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上，二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接，連接橋板是具有兩個(gè)以上折彎的條板，連接橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上，頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上；主電極為兩個(gè)以上的折邊的條板形，主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接，主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部，且主電極上設(shè)有的過孔與殼體上的定位凹槽對應(yīng)，上下過渡層、二極管芯片、連接橋板、絕緣體以及主電極一側(cè)的連接區(qū)灌注軟彈性膠密封。本實(shí)用新型在安裝以及運(yùn)行過程中能降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，能提高二極管工作可靠性。文檔編號H01L25/11GKSQ0公開日2008年5月21日申請日期2007年7月26日優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日發(fā)明者劉利峰,王曉寶。

    **名稱：非絕緣雙塔型二極管模塊的制作方法技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及一種用于逆變焊機(jī)電源及各種開關(guān)電源的二極管，尤其是涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊。背景技術(shù)：非絕緣雙塔結(jié)構(gòu)二極管是一種標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的模塊產(chǎn)品，由于產(chǎn)品外形簡單、成本低，適用范圍廣。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊，見圖i所示，由二極管芯片3'、底板r、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9，構(gòu)成，二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2'、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接，主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環(huán)氧樹脂灌注，在高溫下固化將三者固定在一起。由于主電極為塊狀結(jié)構(gòu)，故底板、二極管芯片、主電極之間均為硬連接。在長期工作運(yùn)行過程中，由于二極管芯片要承受機(jī)械振動(dòng)、機(jī)械應(yīng)力以及熱應(yīng)力等因素的影響，使得二極管內(nèi)部的半導(dǎo)體二極管芯片也產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。因與二極管芯片連接的材料不同其熱膨脹系數(shù)也不同，又會(huì)使二極管芯片產(chǎn)生熱應(yīng)力，一旦主電極發(fā)生松動(dòng)，就會(huì)造成二極管芯片的碎裂。常規(guī)非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上，然后將另一電極用螺釘安裝在主電極銅塊上，主電極所承受的外力一部分力直接作用到二極管芯片上。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。

    所述工裝槽321設(shè)置在向上翹起的所述端部上。這樣，所述壓緊部上設(shè)置有所述工裝槽的部分就不會(huì)貼合在igbt單管上，方便從所述工裝槽內(nèi)退出工裝。如圖1所示，可選的，所述igbt單管2的數(shù)量為一個(gè)以上，各所述igbt單管2成排設(shè)置在所述安裝板1上。本實(shí)施例中，應(yīng)當(dāng)理解的是，各所述igbt單管之間相互并聯(lián)，且各所述igbt單管之間的并聯(lián)方法屬于現(xiàn)有技術(shù)，例如：各所述igbt單管通過母線銅排相并聯(lián)，本實(shí)施例對各所述igbt單管之間的電連接關(guān)系不再贅述。各所述igbt單管成排布置，一方面方便對各所述igbt單管進(jìn)行辨認(rèn)和電連接，另一方面還便于各所述壓緊件的布置。如圖1和圖2所示，可選的，所述壓緊件3的數(shù)量與所述igbt單管2的排數(shù)相等，每個(gè)所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，一個(gè)所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2所示，可選的，所述壓緊件3的連接板31呈長條狀，所述壓緊件3包括一個(gè)以上的所述壓緊部32，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長度方向依次連接在所述連接板31的上端。本實(shí)施例，每個(gè)所述壓緊部下方可以安裝一個(gè)igbt單管，這樣，相比于將所述壓緊部做成長條狀。IGBT是一個(gè)超級電子開關(guān)，它能耐受超高電壓。湖南模塊批發(fā)價(jià)格

輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價(jià)

    也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應(yīng)用對IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模塊，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule，整流-剎車-逆變）模塊，日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會(huì)分別給出模塊中個(gè)功能單元的參數(shù)，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價(jià)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，各種專業(yè)設(shè)備齊全。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù)，以誠信、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨，以建英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品為目標(biāo)，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，多年來一直專注于一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)）的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。江蘇芯鉆時(shí)代始終以質(zhì)量為發(fā)展，把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力，致力于為顧客帶來***的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。