IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開(kāi)發(fā)研制新品種。應(yīng)用編輯 IGBT其外部有三個(gè)電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。模塊排行榜

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）l輸出電流10A；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃；l保護(hù)有過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)功能。2）直流電容器分為支撐電容、儲(chǔ)能電容，分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時(shí)的大電流放電，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測(cè)試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。云南常規(guī)模塊1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。

    (如BSM、FF、FZ、FP系列)三菱MitsubishiCM系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊、PM系列智能IGBT東芝TOSHIBAMG系列IGBT模塊、MIG系列智能IGBT西門康SEMIKRONSKM系列600V、1200V、1700VIGBT模塊富士FUJI標(biāo)準(zhǔn)IGBT(1MBI、2MBI、6MBI),智能IPM(6MBP、7MBP、7MBR),、1200V各種規(guī)格IGBT單管東芝TOSHIBAGT系列900V、1500VIGBT單管仙童FairchildSGH、SGL、FGL系列600V、1200V、1500V、1700VIGBT單管富士FUJI1MBH、1MBK系列600V、1200VIGBT單管、6ED系列IGBT驅(qū)動(dòng)板三菱MitsubishiIGBT驅(qū)動(dòng)厚膜電路如M57962L、M57962AL、M57959西門康SEMIKRONSKYPER、SKHI系列IGBT驅(qū)動(dòng)板富士FUJIEXB841、EXB840瑞士CONCEPT1GD、1HD、2SD、6SD系列IGBT驅(qū)動(dòng)板美國(guó)IRIGBT驅(qū)動(dòng)電路IR2110、IR21304.進(jìn)口可控硅模塊、二極管模塊優(yōu)派克EUPECTT、TZ、TD、DT、DD、DZ系列可控硅二極管模塊西門康SEMIKRONSKKT、SKKH、SKKL、SKKD、SKET、SKKE系列可控硅二極管模塊德國(guó)IXYSMCC、MCD、MDC可控硅模塊；MDD二極管模塊；MCO大電流水冷系列三社SanRexPK、PD、PE、KK系列可控硅模塊。

    1～1200AVge柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)開(kāi)通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff開(kāi)通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二極管反向恢復(fù)測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vcc二極管電壓50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢復(fù)電流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向關(guān)斷電荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢復(fù)時(shí)間20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。如圖1，IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電，使IGBT關(guān)斷。由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT模塊又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性.上海模塊檢測(cè)

要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。模塊排行榜

    分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很?。浑娏骺刂?，控制電路復(fù)雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求，需要一種新功率器件能同時(shí)滿足：驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開(kāi)關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來(lái)的研究，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國(guó)GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來(lái)放棄）。自此以后，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3）硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢(shì)是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon)。模塊排行榜

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