在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)--環(huán)氧樹脂。然而,環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)-環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。折疊自然冷卻一般而言,對于損耗比較小(<)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當(dāng)整流橋的損耗不大時,可采用自然冷卻方式來處理。此時,整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面:整流橋的殼體(包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小,因此在分析時都不考慮通過這四個面(上下與左右表面)的散熱。在這兩個主要的散熱途徑中,由于自然冷卻散熱的換熱系數(shù)一般都比較小(<10W/m2C),并且整流橋前后散熱面的面積也比較小,因此實際上通過該途徑的散熱量也是十分有限的;一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路。北京哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
整流橋模塊作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內(nèi),同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作,通過二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋進(jìn)行解剖會發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)所示,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連,形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于一般整流橋模塊都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu),在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而,環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,比較高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻。 江蘇西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
本實用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述,本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、至少兩個基島;其中,所述整流橋包括四個整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過基島或引線連接至對應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號;所述功率開關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號,漏極及源極分別連接對應(yīng)管腳;所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路通過一個引線框架封裝在同一個塑封體中,以此減小封裝成本。所以,本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實施例例示性說明本實用新型的原理及其功效,而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下,對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。
并且兩個為對稱設(shè)置,在所述一限位凸部101上設(shè)有凹陷部11,所述一插片21嵌入到所述凹陷部11當(dāng)中。具體的,所述第二插片22為金屬銅片,在所述一限位凸部101上設(shè)有插接槽100,所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100當(dāng)中;并且在所述插接槽100的內(nèi)壁上設(shè)有開口104,所述第二插片22上設(shè)有卡扣凸部220,所述卡扣220可卡入到所述開口104當(dāng)中;在所述第二插片22的側(cè)壁上設(shè)有電連凸部221,所述電連凸部221與所述第二插片22一體成型;所述整流橋堆3一側(cè)設(shè)凸出部31,所述凸出部31為兩個,一個凸出部31對應(yīng)一個電連凸部221;所述凸出部31與所述電連凸部221通過焊錫連接在一起;在所述整流橋堆3的另一側(cè)設(shè)有兩個凸部32,其凸部32和凸出部31完全相同;所述凸部332所述一插片21的端部焊錫在一起;在其他實施例中,焊錫連接的方式也可采用電阻焊的連接方式,其為現(xiàn)有技術(shù)。同時在所述一限位凸部101上具有凹槽部103,所述整流橋堆3放置在所述凹槽部103當(dāng)中,從而實現(xiàn)對所述整流橋堆3進(jìn)行定位。顯然,所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例。 有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
從前面對整流橋帶散熱器來實現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出,整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的,因此在此討論整流橋殼溫如何確定時,就忽約其通過引腳的傳熱量?,F(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗(大為)來分析。假設(shè)整流橋殼體外表面上的溫度為結(jié)溫(即),表面換熱系數(shù)為(在一般情況下,強迫風(fēng)冷的對流換熱系數(shù)為20~40W/m2C)。那么在環(huán)境溫度為,通過整流橋正表面散發(fā)到環(huán)境中的熱量為:忽約整流橋引腳的傳熱量,則通過整流橋背面的傳熱量為:由于在整流橋殼體表面上的兩個傳熱途徑上(殼體正面、殼體背面)的熱阻分別為:根據(jù)熱阻的定義式有:所以:由上式可以看出:整流橋的結(jié)溫與殼體正面的溫差遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于結(jié)溫與殼體背面的溫差,也就是說,實際上整流橋的殼體正表面的溫度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其背面的溫度的。如果我們在測量時,把整流橋殼體正面溫度(通常情況下比較好測量)來作為我們計算的殼溫,那么我們就會過高地估計整流橋的結(jié)溫了!那么既然如此,我們應(yīng)該怎樣來確定計算的殼溫呢?由于整流橋的背面是和散熱器相互連接的,并且熱量主要是通過散熱器散發(fā),散熱器的基板溫度和整流橋的背面殼體溫度間只有接觸熱阻。一般而言,接觸熱阻的數(shù)值很小。 應(yīng)用整流橋到電路中,主要考慮它的最大工作電流和比較大反向電壓。河南西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷
多組三相整流橋相互連接,使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。北京哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式
③由于此時整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān),因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出,在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時,只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時的結(jié)--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒有參考價值,因為它是隨著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強迫風(fēng)冷冷卻時殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計算,我們可以得出:在整流橋自然冷卻時,我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja),來計算整流橋的結(jié)溫,從而可以方便地檢驗我們的設(shè)計是否達(dá)到功率元器件的溫度降額標(biāo)準(zhǔn);對整流橋采用不帶散熱器的強迫風(fēng)冷情況,由于在實際使用中很少采用,在此不予太多的討論。如果在應(yīng)用中的確涉及該種情形,可以借鑒整流橋自然冷卻的計算方法;對整流橋采用散熱器進(jìn)行冷卻時,我們只能參考廠家給我們提供的結(jié)--殼熱阻(Rjc),通過測量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫,達(dá)到檢驗?zāi)康?。在此,我們著重討論該計算殼溫測量點的選取及其相關(guān)的計算方法,并提出一種在實際應(yīng)用中可行、在計算中又可靠的測量方法。 北京哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊聯(lián)系方式