所以在自然冷卻散熱的情況下，整流橋的大部分損耗是通過(guò)該引腳把熱量傳遞給PCB板，然后由PCB板擴(kuò)充其換熱面積而散發(fā)到周圍的環(huán)境中去。具體的分析計(jì)算如下:1、整流橋表面熱阻如圖2所示，可以得到整流橋的正向散熱面距熱源的距離為，背向散熱面距熱源的距離為，因此忽約其熱量在這四個(gè)表面的散發(fā)，可以得到整流橋正面和背面的傳熱熱阻為:一個(gè)二極管的熱阻為:由于在同一時(shí)間，整流橋內(nèi)的四個(gè)二極管只有兩個(gè)在同時(shí)進(jìn)行工作，因此整流橋正面與背面的傳熱熱阻應(yīng)分別為兩個(gè)二極管熱阻的并聯(lián)，即:由于整流橋表面到周圍空氣間的散熱為自然對(duì)流換熱，則整流橋殼體表面的自然冷卻熱阻為:由上所述，可以得到整流橋通過(guò)殼體表面(正面和背面)的結(jié)溫與環(huán)境的熱阻分別為:則整流橋通過(guò)殼體表面途徑對(duì)環(huán)境進(jìn)行傳熱的總熱阻為:2、整流橋引腳熱阻假設(shè)整流橋焊接在PCB板上，其引腳的長(zhǎng)度為(從二極管的基銅板到PCB板上的焊盤)，則整流橋一個(gè)引腳的熱阻為:在整流橋內(nèi)部，四個(gè)二極管是分成兩組且每組共用一個(gè)引腳銅板，因此整流橋通過(guò)引腳散熱的熱阻為這兩個(gè)引腳的并聯(lián)熱阻:一方面由于PCB板的熱容比較大，另一方面冷卻風(fēng)與PCB板的接觸面積較大，其換熱條件較好。 整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用，由于用量十分巨大，對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型，很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件，同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片，導(dǎo)致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳。 廣東西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作。

    所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式，所述信號(hào)地管腳gnd的寬度大于，進(jìn)一步設(shè)置為～1mm，以加強(qiáng)散熱，達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè)，所述零線管腳n、所述信號(hào)地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說(shuō)明的是，各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，不以本實(shí)施例為限。如圖1所示，所述整流橋的一交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳。具體地，作為本實(shí)用新型的一種實(shí)現(xiàn)方式，所述整流橋包括四個(gè)整流二極管，各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳。在本實(shí)施例中，所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn)，其中，一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。

1、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道，并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此，它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時(shí)，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻，保證模塊的出力。2、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以用作主電路端子和控制端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂。特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。

    所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈，負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示，所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極，負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示，所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用，適用于兩繞組flyback(3w～25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一～三的不同之處在于，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd，所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號(hào)地管腳gnd，而連接所述電源地管腳bgnd，相應(yīng)地，所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改，在此不一一贅述。如圖7所示，本實(shí)施例還提供一種電源模組，所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于，所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1，還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。 整流二極管的一次導(dǎo)通過(guò)程，可視為一個(gè)“選**沖”，其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz)。山西進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊代理商

整流橋是將數(shù)個(gè)整流二極管封在一起組成的橋式整流器件，主要作用是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電，也就是整流。吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

    大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“～”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負(fù)極，兩個(gè)“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí)，可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“～”極、“一”極與兩個(gè)“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測(cè)時(shí)，可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得其正、反向均有一定電阻值，則說(shuō)明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測(cè)二端肖特基二極管可以用萬(wàn)用表Rl擋測(cè)量。正常時(shí)，其正向電阻值(黑表筆接正極)為～，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均接近O，則說(shuō)明該二極管已開路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端，判別出是共陰對(duì)管，還是共陽(yáng)對(duì)管，然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。 吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷