二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。陜西代理西門(mén)康SEMIKRON二極管廠家供應(yīng)

    其中有一條就是溫度高低變化時(shí)三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對(duì)理解VD1構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個(gè)與溫度相關(guān)的不良特性，即溫度升高時(shí)，三極管VT1基極電流會(huì)增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩(wěn)定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩(wěn)定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時(shí)要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來(lái)完成。電路中的R1、VD1和R2構(gòu)成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩(wěn)定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩(wěn)定工作。在分析二極管VD1工作原理時(shí)還要搞清楚一點(diǎn)：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對(duì)它的工作原理分析思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn)：1）VD1的正極通過(guò)R1與直流工作電壓+V相連。 廣西進(jìn)口西門(mén)康SEMIKRON二極管代理商觸發(fā)二極管又稱(chēng)雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱(chēng)性的二端半導(dǎo)體器件。

    而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。整流二極管檢查方法編輯首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬(wàn)用表的100×R或1000×R歐姆檔，測(cè)量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對(duì)調(diào)各測(cè)一次)。若兩次測(cè)得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高達(dá)幾百KΩ到無(wú)窮大，而電阻值小的幾百Ω甚至更小，說(shuō)明該二極管是好的(發(fā)生了軟擊穿的二極管除外)。若兩次測(cè)得的電阻值幾乎相等，而且電阻值很小，說(shuō)明該二極管已被擊穿損壞，不能使用。如果兩次測(cè)量的阻值都是無(wú)窮大，說(shuō)明此二極管已經(jīng)內(nèi)部斷開(kāi)，不能使用。整流二極管常用型號(hào)編輯二極管型號(hào)，用途，高反向工作電壓VR，大平均整流電流IF1N4001硅整流二極管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二極管100V,1A,1N4003硅整流二極管200V,1A,1N4004硅整流二極管400V,1A,1N4005硅整流二極管600V,1A,1N4006硅整流二極管800V,1A,1N4007硅整流二極管1000V,1A,1N4148硅開(kāi)關(guān)二極管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二極管50V,,(Ir=10uA,Vf=)1N5392硅整流二極管100V,,1N5393硅整流二極管200V,,1N5394硅整流二極管300V,,1N5395硅整流二極管400V,,1N5396硅整流二極管500V,,1N5397硅整流二極管600V,,1N5398硅整流二極管800V,。

    ALC電路在錄音機(jī)、卡座的錄音卡中，錄音時(shí)要對(duì)錄音信號(hào)的大小幅度進(jìn)行控制，了解下列幾點(diǎn)具體的控制要求有助于分析二極管VD1自動(dòng)控制電路。1）在錄音信號(hào)幅度較小時(shí)，不控制錄音信號(hào)的幅度。2）當(dāng)錄音信號(hào)的幅度大到一定程度后，開(kāi)始對(duì)錄音信號(hào)幅度進(jìn)行控制，即對(duì)信號(hào)幅度進(jìn)行衰減，對(duì)錄音信號(hào)幅度控制的電路就是ALC電路。3）ALC電路進(jìn)入控制狀態(tài)后，要求錄音信號(hào)愈大，對(duì)信號(hào)的衰減量愈大。通過(guò)上述說(shuō)明可知，電路分析中要求自己有比較全的知識(shí)面，這需要在不斷的學(xué)習(xí)中日積月累。2．電路工作原理分析思路說(shuō)明關(guān)于這一電路工作原理的分析思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn)：1）如果沒(méi)有VD1這一支路，從級(jí)錄音放大器輸出的錄音信號(hào)全部加到第二級(jí)錄音放大器中。但是，有了VD1這一支路之后，從級(jí)錄音放大器輸出的錄音信號(hào)有可能會(huì)經(jīng)過(guò)C1和導(dǎo)通的VD1流到地端，形成對(duì)錄音信號(hào)的分流衰減。2）電路分析的第二個(gè)關(guān)鍵是VD1這一支路對(duì)級(jí)錄音放大器輸出信號(hào)的對(duì)地分流衰減的具體情況。顯然，支路中的電容C1是一只容量較大的電容（C1電路符號(hào)中標(biāo)出極性，說(shuō)明C1是電解電容，而電解電容的容量較大），所以C1對(duì)錄音信號(hào)呈通路，說(shuō)明這一支路中VD1是對(duì)錄音信號(hào)進(jìn)行分流衰減的關(guān)鍵元器件。 大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流（Rectifying）”功能。

    穩(wěn)壓源，放大器以及電子儀器的保護(hù)電路等瞬態(tài)電壓抑制二極管又稱(chēng)瞬變電壓抑制二極管，雙向擊穿二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)TVS。瞬態(tài)抑制二極管不會(huì)被擊穿，它能夠在電壓極高時(shí)降低電阻，使電流分流或控制其流向，從而保護(hù)電路元件在瞬間電壓過(guò)高的情況下不被燒毀。雙向觸發(fā)二極管又稱(chēng)二端交流器件DIAC或雙向二極管。常用來(lái)出發(fā)雙向晶閘管，還可構(gòu)成過(guò)壓保護(hù)電路等。變阻二極管變阻二極管是利用PN結(jié)之間等效電阻可變的原理制成的，主要應(yīng)用于10-1000MHz高頻電路或開(kāi)關(guān)電源等電路，做可調(diào)衰減器，起限幅，保護(hù)等作用。隧道二極管又稱(chēng)江崎二極管，它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的二極管，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，變化速度快，功耗小。在高速脈沖計(jì)數(shù)中有廣泛應(yīng)用?？捎盟淼蓝O管構(gòu)成雙穩(wěn)電路，單穩(wěn)電路，多諧振蕩器，以及用作整形和分頻。雙基極二極管又稱(chēng)單節(jié)晶體管，是具有一個(gè)PN結(jié)的三端負(fù)阻器件。廣泛應(yīng)用于各種振蕩器，定時(shí)器和控制器電路中磁敏二極管磁敏二極管可以在較弱的磁場(chǎng)作用下，產(chǎn)生較高的輸出電壓，并隨著磁場(chǎng)方向的改變同步輸出變化的正、負(fù)電壓。在磁力探測(cè)，電流測(cè)量，無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，位移測(cè)量，轉(zhuǎn)速測(cè)量，無(wú)刷直流電機(jī)的自動(dòng)控制等方面得到廣泛應(yīng)用。溫敏二極管在一定偏置電流下。 發(fā)光二極管芯片陣列固定在印刷電路板的一個(gè)面上。廣東哪里有西門(mén)康SEMIKRON二極管貨源充足

點(diǎn)接觸型二極管不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓，適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用。陜西代理西門(mén)康SEMIKRON二極管廠家供應(yīng)

    沒(méi)有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會(huì)將集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)分流到地，對(duì)信號(hào)造成衰減，顯然這一電路中不需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行這樣的衰減，所以從這個(gè)角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會(huì)高到讓VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號(hào)，通過(guò)電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號(hào)幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會(huì)使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險(xiǎn)。加到VT1基極的交流信號(hào)負(fù)半周信號(hào)幅度很大時(shí)，對(duì)VT1沒(méi)有燒壞的影響，因?yàn)閂T1基極上負(fù)極性信號(hào)使VT1基極電流減小。5）通過(guò)上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護(hù)二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對(duì)VD1、VD2、VD3二極管電路進(jìn)一步分析，分析如果符合邏輯，可以說(shuō)明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號(hào)的幅度分兩種情況：1）信號(hào)幅度比較小時(shí)的電路工作狀態(tài)。 陜西代理西門(mén)康SEMIKRON二極管廠家供應(yīng)