溫敏二極管PN結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結(jié)正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩(wěn)定電壓和穩(wěn)定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩(wěn)定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時，電阻小，電流大，無光照時，電阻大，電流小紅外發(fā)射二極管紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線的二極管，通常應用于遙控器等場合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調(diào)制其輸出光的強弱。因為輸出光功率與輸入電流之間多為線性關(guān)系，所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強弱防雷二極管常常用來保護對電壓很敏感的電信設(shè)備，防止雷擊和設(shè)備開關(guān)動作時產(chǎn)生的瞬態(tài)浪涌電壓將它們損壞。GDT是高阻抗的元件檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件。 鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。廣東代理艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷

    TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30150CT30A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30200CT30A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045PT30A,45V,TO-247TO-3PMBR3060PT30A,60V,TO-247TO-3PMBR30100PT30A,100VTO-247、TO-3PMBR30150PT30A,150VTO-247、TO-3PMBR30200PT30A,200VTO-247、TO-3PMBR4045PT40A,45VTO-247、TO-3PMBR4060PT40A,60VTO-247、TO-3PMBR40100PT40A,100VTO-247、TO-3PMBR40150PT40A,150VTO-247、TO-3PMBR40200PT40A,200VTO-247、TO-3PMBR6045PT60A,45VTO-247、TO-3PMBR6060PT60A,60VTO-247、TO-3PMBR60100PT60A。 廣東代理艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷二極管是雙端子電子元件，傳導電流主要在一個方向（非對稱電導）。

    外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子。

    所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的區(qū)別肖特基（Schottky）二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其明顯的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航怠Ｐぬ鼗⊿chottky）二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么區(qū)別呢？肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里？就讓我們一起學習一下。肖特基二極管是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二極管中由半導體-半導體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。 包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速二極管,肖特基,電源管理IC等。

    1、比較高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了比較高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。2、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和比較高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。3、比較大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的比較大正向電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管比較大整流電流值。 可以通過選擇半導體材料和制造過程中引入材料中的摻雜雜質(zhì)來定制半導體二極管的電流-電壓特性。福建代理艾賽斯IXYS二極管模塊服務電話

大多數(shù)二極管是由硅制成的，但也使用了砷化鎵和鍺等其他半導體材料。廣東代理艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷

    處于正向?qū)顟B(tài)的肖特基二極管可以使得施加在C1點的交流信號通過肖特基二極管，并在C2的輸出出呈現(xiàn)出來。這就是二極管導通時的狀態(tài)，我們也可稱它為開關(guān)的“導通”狀態(tài)。這是一個簡單的電路，通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導通狀態(tài)。從而實現(xiàn)對交流信號的控制。在實用的過程中，通常是保證一邊的電平不變，而調(diào)節(jié)另一方的電平高低，從而實現(xiàn)控制二極管的導通與否。在射頻電路中，這種設(shè)計多會在提供偏置的線路上加上防止射頻成分混入邏輯/供電線路的措施以減少干擾，但總的來說這種設(shè)計還是很常見的。3、肖特基二極管的作用及其接法-限幅所謂限幅肖特基二極管就是將信號的幅值限制在所需要的范圍之內(nèi)。由于通常所需要限幅的電路多為高頻脈沖電路、高頻載波電路、中高頻信號放大電路、高頻調(diào)制電路等，故要求限幅肖特基二極管具有較陡直的U-I特性，使之具有良好的開關(guān)性能。限幅肖特基二極管的特點：1、多用于中、高頻與音頻電路；2、導通速度快，恢復時間短；3、正偏置下二極管壓降穩(wěn)定；4、可串、并聯(lián)實現(xiàn)各向、各值限幅；5、可在限幅的同時實現(xiàn)溫度補償。肖特基二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔儯ü韫転?，鍺管為）。利用這一特性。 廣東代理艾賽斯IXYS二極管模塊工廠直銷