處于正向?qū)顟B(tài)的肖特基二極管可以使得施加在C1點的交流信號通過肖特基二極管，并在C2的輸出出呈現(xiàn)出來。這就是二極管導(dǎo)通時的狀態(tài)，我們也可稱它為開關(guān)的“導(dǎo)通”狀態(tài)。這是一個簡單的電路，通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導(dǎo)通狀態(tài)。從而實現(xiàn)對交流信號的控制。在實用的過程中，通常是保證一邊的電平不變，而調(diào)節(jié)另一方的電平高低，從而實現(xiàn)控制二極管的導(dǎo)通與否。在射頻電路中，這種設(shè)計多會在提供偏置的線路上加上防止射頻成分混入邏輯/供電線路的措施以減少干擾，但總的來說這種設(shè)計還是很常見的。3、肖特基二極管的作用及其接法-限幅所謂限幅肖特基二極管就是將信號的幅值限制在所需要的范圍之內(nèi)。由于通常所需要限幅的電路多為高頻脈沖電路、高頻載波電路、中高頻信號放大電路、高頻調(diào)制電路等，故要求限幅肖特基二極管具有較陡直的U-I特性，使之具有良好的開關(guān)性能。限幅肖特基二極管的特點：1、多用于中、高頻與音頻電路；2、導(dǎo)通速度快，恢復(fù)時間短；3、正偏置下二極管壓降穩(wěn)定；4、可串、并聯(lián)實現(xiàn)各向、各值限幅；5、可在限幅的同時實現(xiàn)溫度補償。肖特基二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管為，鍺管為）。利用這一特性。 IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因為p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時。 四川哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊廠家直銷二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱為整流，用于將交流電（ac）轉(zhuǎn)換為直流電（dc）。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通?？梢院雎圆挥嫛．?dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向?qū)щ娦?。[編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評價二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電流IFM指二極管長期工作時，允許通過二極管的大正向電流的平均值。當(dāng)實際電流超過該值時，二極管會因過熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實際使用中二極管反向電壓不應(yīng)超過此電壓值，以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時的反向電流。如果該值較大，是不能正常使用的。反向電流愈小，二極管單向?qū)щ娦杂谩?

    空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和PN結(jié)五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。[6]二極管主要分類編輯二極管點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時PN結(jié)面積小，用于大功率整流時PN結(jié)面積較大[5]。 二極管是常用的電子元件之一，他比較大的特性就是單向?qū)щ?，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過。

    外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[1]二極管原理應(yīng)用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管為，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4.續(xù)流在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負載中起續(xù)流作用。5.檢波檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。6.阻尼阻尼二極管多用在高頻電壓電路中。 二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。天津哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊聯(lián)系方式

由于二極管具有非線性電流-電壓特性，因此其行為可能比這種簡單的開關(guān)動作更為復(fù)雜。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。 安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售