2CP1554硅二極管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二極管Ir≤≤,≤,[1]整流二極管高頻整流二極管的特性與參數(shù)編輯開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖特基整流二極管?？焖倩謴?fù)和超快恢復(fù)整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，其范圍是從～。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，它們特別適合于在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。由于現(xiàn)代的開關(guān)電源工作頻率都在20kHz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)整流二極管和超快速恢復(fù)整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間莎Ⅱ減小到了毫微秒級(jí)，因此，提高了電源的效率。據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在選擇快速恢復(fù)整流二極管時(shí)，其反向恢復(fù)時(shí)間至少應(yīng)該是開關(guān)晶體管的上升時(shí)間的1/3。這兩種整流二極管還減少了開關(guān)電壓尖峰，而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波。另外，雖然某些稱為軟恢復(fù)型整流二極管的噪聲較小，但是它們的反向恢復(fù)時(shí)間較長，反向電流也較大，因而使得開關(guān)損耗增大，并不能滿足開關(guān)電源的工作要求。 二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。云南進(jìn)口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向?qū)щ娞匦?，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半?dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為，發(fā)光二極管正向管壓降會(huì)隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為，黃色發(fā)光二極管的壓降為—，綠色發(fā)光二極管的壓降為—，正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。 福建哪里有西門康SEMIKRON二極管廠家供應(yīng)和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。

    晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級(jí)管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode。二極管的正.負(fù)二個(gè)端子,(如圖)一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動(dòng)。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無論哪個(gè)方向都能流動(dòng)電流。二極管原理二極管特性編輯二極管（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。

    區(qū)域302和壁分離短距離d，其推薦地小于10nm，例如小于7nm。每個(gè)結(jié)構(gòu)30進(jìn)一步包括在溝槽中比區(qū)域302更低地延伸的電傳導(dǎo)區(qū)域306。在圖1所示的示例中，區(qū)域306從區(qū)域302延伸。換言之，區(qū)域302和306是單件。區(qū)域306例如位于比區(qū)域302更遠(yuǎn)離溝槽壁。區(qū)域302例如通過覆蓋溝槽22的壁和底部的電介質(zhì)層308與襯底10分離。層308的厚度例如大于約100nm，推薦地在從250nm到1000nm的范圍內(nèi)。結(jié)構(gòu)30a包括與結(jié)構(gòu)30相同的元件。然而，重要的是在二極管的外側(cè)上不存在上文提到的短距離d。作為示例，層308于是在二極管的外側(cè)上在區(qū)域302與溝槽壁之間繼續(xù)。層308可以連接覆蓋二極管的上的襯底的絕緣層44。作為示例，區(qū)域302和306由摻雜的多晶硅制成，并且層304和308由氧化硅制成。如下文在二極管10的特定情況下所討論，由此獲得的區(qū)域302和306在施加電勢時(shí)能夠?qū)εc層304和308接觸的襯底部分施加不同的靜電影響。特別地，區(qū)域302距離襯底越近，與層304接觸的襯底部分上的靜電影響越強(qiáng)。然后可以在與每個(gè)層304接觸的襯底部分中形成晶體管t1，所考慮的區(qū)域302形成晶體管柵極。作為示例，晶體管t1具有n溝道。每個(gè)晶體管包括p型摻雜的溝道區(qū)域202(p)。作為示例。 由外殼、印刷電路板、發(fā)光二極管芯片陣列、控制電路和金屬引腳組成。

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子。 在印刷電路板的另一面上固定有驅(qū)動(dòng)電路。四川西門康SEMIKRON二極管推薦貨源

快恢復(fù)二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。云南進(jìn)口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí)，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí)，外界電場與自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)。 云南進(jìn)口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的