由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內(nèi)外研究者的較廣關注，隨著現(xiàn)代科學技術(shù)的飛速發(fā)展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結(jié)等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和適合大規(guī)模生產(chǎn)的特點!研究復雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件的凈近成形技術(shù)如注射成形技術(shù)等。它對充分發(fā)揮氮化鋁的性能優(yōu)勢.拓寬它的應用范圍具有重要意義！氮化鋁的熱導率主要由晶體缺陷和聲子自身對聲子散射控制。高導熱氧化鋁廠家直銷

氮化鋁的應用：應用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應力更小。因此，AlN晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景。另外，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度，極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命?；贏lGaN的高質(zhì)量日盲探測器已經(jīng)獲得成功應用。多孔氮化鋁品牌在空氣中，溫度高于700℃時，氮化鋁的物質(zhì)表面會發(fā)生氧化作用。

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導熱率系數(shù)大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異，可以適應SiC的應用要求，是搭載SiC半導體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質(zhì)、脫模機等添加劑，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法。通過該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm；熱導率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上。

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：模壓成型是應用很較廣的成型工藝。其工藝原理是將經(jīng)過噴霧造粒后流動性好的造粒料填充到金屬模腔內(nèi)，通過壓頭施加壓力，壓頭在模腔內(nèi)產(chǎn)生移動，模腔內(nèi)粉體在壓頭作用力下產(chǎn)生顆粒重排，顆粒間空隙內(nèi)氣體排出，形成具有一定強度和形狀的陶瓷素坯。通常壓制的初始階段致密化速率很高，初始階段的壓力通過顆粒間的接觸，使包覆有粘結(jié)劑的顆?；瑒雍椭嘏牛斶M一步施壓時，顆粒變形增加相互間的接觸面，減少顆粒間的氣孔，氣體在加壓過程中通過顆粒間遷移，很終通過模具間隙排出。制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度，從而導致生產(chǎn)制備過程中的能耗較高，同時存在安全風險。

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應用前景。由于它的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。此外，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護膜。氮化鋁膜很早用化學氣相沉積(CVI)制備，其沉積溫度高達1000攝氏度以上。后來，通過采用等離子體增強化學氣相沉積，或用物相沉積((PVD)方法，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶，但已在藍寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜。此外，也曾沉積出非晶氮化鋁膜。影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結(jié)構(gòu)、粉體純度等。深圳單晶氮化硼銷售公司

結(jié)晶氮化鋁主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑。高導熱氧化鋁廠家直銷

在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4陶瓷抗彎強度很高，耐磨性好，是綜合機械性能很好的陶瓷材料，同時其熱膨脹系數(shù)很小，因而被很多人認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜，成本較高，熱導率偏低，主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常，尤其是在電子封裝對熱導率的要求方面，氮化鋁優(yōu)勢巨大。不足的是，較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價格很高，這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術(shù)的不斷發(fā)展，其成本必定會有所降低，氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領域大面積應用指日可待。高導熱氧化鋁廠家直銷

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