EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的zhuyao市場份額,并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500套。廣西美元價(jià)格鍵合機(jī)
EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP)無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù):晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°結(jié)合力:ZUI高5N鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件)絕緣體上的硅鍵合機(jī)有哪些品牌EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。
GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng),用于對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ZUI高水平的自動(dòng)化和過程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和ZUI大200毫米(300毫米)的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺(tái)上執(zhí)行。器件制造商受益于產(chǎn)量的增加,高集成度以及多種鍵合工藝方法的選擇,例如陽極,硅熔合,熱壓和共晶鍵合。特征全自動(dòng)集成平臺(tái),用于晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和晶圓鍵合底部,IR或Smaiew對(duì)準(zhǔn)的配置選項(xiàng)多個(gè)鍵合室晶圓處理系統(tǒng)與鍵盤處理系統(tǒng)分開帶交換模塊的模塊化設(shè)計(jì)結(jié)合了EVG的精密對(duì)準(zhǔn)EVG所有優(yōu)點(diǎn)和®500個(gè)系列系統(tǒng)與duli系統(tǒng)相比,占用空間ZUI小可選的過程模塊:LowTemp?等離子活化晶圓清洗涂敷模塊紫外線鍵合模塊烘烤/冷卻模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室5軸機(jī)器人ZUI高鍵合模塊4個(gè)ZUI高預(yù)處理模塊200毫米:4個(gè)300毫米:6個(gè)。
晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測試之前應(yīng)用封裝和引線,而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通常可以與其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如,它們通??梢栽诰韼C(jī)上購買,以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)ZUI高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。
EVG®501鍵合機(jī)特征:獨(dú)特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器;靈活的研究設(shè)計(jì)和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級(jí)用于陽極鍵合;開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴可選:1E-5mbarEVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。圖像傳感器鍵合機(jī)推薦型號(hào)
EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。廣西美元價(jià)格鍵合機(jī)
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。廣西美元價(jià)格鍵合機(jī)
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司是我國半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測量儀專業(yè)化較早的其他有限責(zé)任公司之一,岱美中國是我國儀器儀表技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。岱美中國致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力,多年來,已經(jīng)為我國儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。